| مكان المنشأ: | الصين |
|---|---|
| اسم العلامة التجارية: | TX TELSIG |
| إصدار الشهادات: | SGS, ISO9001 |
| رقم الموديل: | YPM02054439 |
| الحد الأدنى لكمية: | 1 |
| الأسعار: | Negotiation |
| شروط الدفع: | L / C ، T / T ، ويسترن يونيون ، باي بال ، إلخ. |
| نطاق الترددات: | 225 ~ 512 ميجا هرتز | ربح (نموذجي): | 44 ديسيبل |
|---|---|---|---|
| طاقة الخرج (النوع): | 39 ديسيبل | تيار هادئ: | 60 مللي أمبير |
| تسليط الضوء: | مضخم الطاقة rf,مضخم الطاقة mmic |
||
TXtelsig YPM02054439 RF مكبر للصوت 225 ~ 512 ميجا هرتز 8 واط وحدة مضخم الطاقة
YPM02054439 عبارة عن وحدة مضخم طاقة (PAM) عالية الكسب وعالية الطاقة ومتكاملة للغاية مخصصة لاتصالات TETRA التي تتطلب طاقة خرج تصل إلى 8 وات.يوفر PAM كسبًا نموذجيًا قدره 44 ديسيبل وطاقة خرج تبلغ 8 واط مع إدخال إشارة CW ، وحالة التحيز الهادئ النموذجي هي 28 فولت عند 60 مللي أمبير ، ويتم مطابقة المدخلات والمخرجات داخليًا وتتطلب الحد الأدنى من مكونات المطابقة الخارجية ، وهي متكاملة داخليًا مع الطاقة الكشف عن الوحدة ووحدة حماية البيئة والتنمية المستدامة.يوجد YPM02054439 داخل حزمة مصغرة ذات 8 أسطح ، 10 × 10 × 1.1 مم 3 LGA.
سمات
■ 225 ~ 512 ميجا هرتز نطاق التردد
■ كسب 44 ديسيبل (نموذجي)
■ 39dBm Output Power (Typ)
■ ≥ 15dB خسارة إرجاع المدخلات
■ عملية 28V
■ 60mA تيار هادئ
■ المدخلات والمخرجات متطابقة داخليًا
■ وحدة الكشف عن الطاقة المتكاملة داخليًا
■ وحدة الحماية المتكاملة من البيئة والتنمية المستدامة
■ متقدم InGaP / GaAs HBT وتكنولوجيا GaN pHEMT
■ حزمة LGA 10 × 10 × 1.1 مم 3
التطبيقات
■ تترا
■ مودم راديو
معلومات الطلبية
■ YPM02054439 225 ~ 512 ميجا هرتز وحدة مضخم الطاقة
■ YPM02054439-EVB 225 ~ 512 ميجا هرتز YPM02054439 مجلس التقييم
الحذر!جهاز حساس ESD
تصنيف ESD: Class1C
القيمة: يمر 1000 فولت دقيقة.
الاختبار: نموذج جسم الإنسان (HBM)
المعيار: معيار JEDEC JESD22-A114
تصنيف ESD: الفئة الرابعة
القيمة: يمر ≥ 1000V دقيقة.
الاختبار: طراز الجهاز المشحون (CDM)
المعيار: معيار JEDEC JESD22-C101
تصنيف MSL: المستوى 3 عند +260 درجة مئوية
إنحسر
المعيار: معيار JEDEC J-STD-020
| معامل | تقييم | وحدة |
| مدخلات طاقة الترددات اللاسلكية | 0 | ديسيبل |
| جهد إمداد المرحلة الأولى | -0.5 إلى +6.0 | الخامس |
| جهد إمداد المرحلة الثانية | -0.5 إلى +28.0 | الخامس |
| الجهد التحيز الأول | -0.5 إلى +3.3 | الخامس |
| 1 الجهد التحيز | -5.0 إلى -2.0 | الخامس |
| تعمل درجة الحرارة المحيطة | -40 إلى +85 | درجة مئوية |
| درجة حرارة التخزين | -55 حتى +150 | درجة مئوية |
| دبوس الوصف | ||
| رقم الدبوس | رمز | وصف |
| 1 | مدخل الترددات اللاسلكية | مدخلات RF |
| 2 | VB | الجهد التحيز الأول |
| 3 | نورث كارولاينا | لا يوجد اتصال |
| 4 | VG | الجهد التحيز الثاني |
| 5 | خرج RF | خرج RF |
| 6 | VDD | جهد إمداد المرحلة الثانية |
| 7 | PDET | كاشف الطاقة |
| 8 | VCC | جهد إمداد المرحلة الأولى |
| 9 | GND | اتصال الأرض |
